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利用可能研究設備詳細

設備名 原子層堆積装置(SUNALE-R)
設備コード S-HD-HU-RIES-33
カテゴリ 微細加工装置(EB, FIB他)
仕様 高精度(オングストロームオーダー)に膜厚を制御して薄膜を作製する。緻密な絶縁性の高い薄膜作製やトレンチ構造など複雑な形状をもつ構造体にもオングストロームオーダーで均一な成膜を行うことが可能。
* 試料サイズ:75mm(3""),100mm(4""),150mm(6"")ウエハ対応
* 成膜温度範囲:100?500℃ コンピュータ制御
* 材質:SUS316/TI/NI/Al 
設備の所属 北海道大学  電子科学研究所   
利用受付  
備考 http://openfacility.cris.hokudai.ac.jp/apparatus_list 
公開範囲
国立大学法人・大学共同利用機関法人
その他研究・教育機関
公企業・私企業
予算措置
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利用料金

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お問合せ先
自然科学研究機構分子科学研究所

〒444-8585 愛知県岡崎市明大寺町字西郷中38番地
大学連携研究設備ネットワーク事務局
電話番号:0564-55-7490
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