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利用可能研究設備詳細

設備名 レーザー描画装置(DDB-201-200)
設備コード S-HD-HU-RIES-32
カテゴリ 微細加工装置(EB, FIB他)
仕様 シリコン基板上に塗布されたレジスト材を、レーザ光線で直接描画する露光装置。従来のマスクを使用する装置に比べ、マスクの作成が不要で、開発時間の短縮と経費の節減が可能。高精度電動XYステージ、半導体レーザ(波長408nm)、オートフォーカス機能を堅牢な筺体に組み込んで、長寿命でコンパクトな描画装置。CADソフトで作成された直線・円・円弧を組み合わせて、手軽に自由なパターンが描ける。
* マスクが不要のため、マスク作成費と作成時間が不要で、開発時間の短縮ができる
* ステージ移動とレーザ光線のON/OFF制御によるベクター方式描画
* 最小線幅1μmが可能
* 直線・円・円弧の組み合わせで複雑なパターンが描ける
* 対物レンズを交換することで、線幅を自由に選択できる。よって、面のパターンも短時間で描ける。
* CADで作成したDXFデータで描画される
* 描画目的に合わせ、最小線幅線幅1μmタイプと5μmタイプの2種類から選択可能
* レーザ光の伝送に光ファイバを採用してレーザスポットダンシング(ゆらぎ)を大幅に除去(特許申請中) 
設備の所属 北海道大学  電子科学研究所   
利用受付  
備考 http://openfacility.cris.hokudai.ac.jp/apparatus_list 
公開範囲
国立大学法人・大学共同利用機関法人
その他研究・教育機関
公企業・私企業
予算措置
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利用料金

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お問合せ先
自然科学研究機構分子科学研究所

〒444-8585 愛知県岡崎市明大寺町字西郷中38番地
大学連携研究設備ネットワーク事務局
電話番号:0564-55-7490
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