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利用可能研究設備詳細

設備名 反応性イオンエッチング装置(RIE-101iPH)
設備コード S-HD-HU-RIES-31
カテゴリ 微細加工装置(EB, FIB他)
仕様 独自のトルネードICPの採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコン及び各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能。セラミックス、金属のドライエッチング及び微細加工が可能。
【仕様】
* 反応室:SUS304製,内径φ309.5mm
* 基板ステージ:SUS304製,φ106mm(静電チャック使用時はAl製)
* ガス導入系:マスフローコントローラ 4系列
使用できるガス種:フッ素系ガス・塩素系ガス 
設備の所属 北海道大学  電子科学研究所   
利用受付  
備考 http://openfacility.cris.hokudai.ac.jp/apparatus_list 
公開範囲
国立大学法人・大学共同利用機関法人
その他研究・教育機関
公企業・私企業
予算措置
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利用料金

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お問合せ先
自然科学研究機構分子科学研究所

〒444-8585 愛知県岡崎市明大寺町字西郷中38番地
大学連携研究設備ネットワーク事務局
電話番号:0564-55-7490
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