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利用可能研究設備詳細

設備名 ドライエッチング装置(NLD-500)
設備コード S-HD-HU-RIES-30
カテゴリ 微細加工装置(EB, FIB他)
仕様 ICPプラズマによって主に酸化物を高速にエッチング可能。磁場コイル(NLD)でプラズマ密度を調整し、面内均一性の高いエッチングが可能。光導波路などの光学素子の加工向き(数nmレベルでのエッチング深さ制御可能)。様々な誘電体材料の高速エッチングが可能になる。
【仕様】
* 加工基板面積:4inchφ(メカニカルチャック)
* 使用ガス:CHF3,C3F8,SF6,Cl2,O2,Ar,He,N2,Air
* 基板温度制御用チラー:外置き1台(5?30℃)
* 冷却水:水圧:0.2?0.4MPa,水温:20?25℃,水量:14L/min以上 
設備の所属 北海道大学  電子科学研究所   
利用受付  
備考 http://openfacility.cris.hokudai.ac.jp/apparatus_list 
公開範囲
国立大学法人・大学共同利用機関法人
その他研究・教育機関
公企業・私企業
予算措置
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利用料金

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お問合せ先
自然科学研究機構分子科学研究所

〒444-8585 愛知県岡崎市明大寺町字西郷中38番地
大学連携研究設備ネットワーク事務局
電話番号:0564-55-7490
Email:

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